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本文分析了低噪声放大器的设计理论、噪声理论、CMOS 工艺中的无源元件以及亚微米的 MOS 管结构。对螺旋电感的几何参数与 Q 值的关系进行了分析；基于 TSMC 0.18um RF CMOS 工艺设计了一种插入级间匹配电感的差分低噪声放大器，并对级联级栅宽的选择在传统方法基础上做了优化，
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