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闩锁效应是功率集成电路中普遍存在的问题。文中分析了CMOS 结构中的闩锁效应的起因，提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型，给出了产生闩锁效应的必要条件，列举了闩锁效应的几种测试方法。最后，介绍了避免发生闩锁效应的几种方法。
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闩锁效应是功率集成电路中普遍存在的问题。文中分析了CMOS 结构中的闩锁效应的起因，提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型，给出了产生闩锁效应的必要条件，列举了闩锁效应的几种测试方法。最后，介绍了避免发生闩锁效应的几种方法。
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